Transistor-Emitterschaltung im frequenzselektiven Verstärker

Transistorstufe in Emitterschaltung IV, als frequenz-selektiver Verstärker

Stromverstärkungsfaktor B: Basis-Emitterspannung in mV: Kollektorstrom Ic in mA: Lastwiderstand RL in kOhm: Untere Grenzfrequenz in Hz: +Ub in V: Induktivität Ls: Drahtwiderstand von Ls in Ohm: Capazität Cs: Querstromfaktor Ibq:

R2: C1: R3: R1: C2: Rin: Pv: C3: Ur3: Rout: Vu mit RL: Resonanzfrequenz: Bandbreite (-3dB):

Eingabewerte: Ausgabewerte: Transistor Frequenz selektiver Verstärker

Der hier beschriebene selektive Verstärker eignet sich für Frequenzen < 200 kHz. Die Berechnungen der Bandbreite -3dB und der Signalverstärkung Vu unterliegen z.T. großen Streuungen.
Wie bei allen LC-Resonanz-Kreisen ist auch hier die Güte des Schwingkreises entscheidend für die Bandbreite des Filters. Experimentieren Sie mit den Werten für den Drahtwiderstand der Induktivität (Güte der Induktivität) und dem Wert des Lastwiderstandes RL (Güte des Schwingkreises).
Für eine enge Bandbreite sollte der Drahtwiderstand der Induktivität sehr klein sein und der Lastwiderstand möglichst sehr hoch sein.
Bei Lastwiderständen > 100 kOhm erhält man Verstärkungsfaktoren die >> 200 sind. Der Spitze-Spitze-Wert der unbelasteten Ausgangsspannung am Kollektor des Transistors liegt beim doppelten Wert der Versorgungsspannung und schwingt symmetrisch um Ub. Die Kollektor-Emitter Sperrspannung muss deshalb mindestens Ub + V_spitze sein.
Durch Wahl der Größe des Lastwiderstandes lässt sich zwar die Amplitude des Ausgangssignals AC-out einstellen, aber gleichzeitig vergrößert sich die Bandbreite des Verstärkers.
Je höher die Güte des Schwingkreises umso besser lässt sich diese Stufe als Rechteck-zu-Sinus-Wandler einsetzen, allerdings optimal nur auf der Resonanzfrequenz des Schwingkreises.

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Online-Rechner für Elektronikentwickler, Autor: Norbert Lieven