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Online-Rechner für Elektronikentwickler, Autor: Norbert Lieven
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Transistorstufe in Emitterschaltung III, mit Spannungsgegenkopplung
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Transistorstufe in Emitterschaltung III, mit Spannungsgegenkopplung
Stromverstärkungsfaktor B:
Basis-Emitterspannung in mV:
Kollektorstrom Ic in mA:
Lastwiderstand RL in kOhm:
Untere Grenzfrequenz in Hz:
+Ub in V:
Rc:
C1:
Uc:
Rb:
C2:
Rin:
Pv:
Vu ohne R5:
Rout:
Eingabewerte:
Ausgabewerte:
Die Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung über einen Kollektor-Basis-Widerstand wird als Eingangsstufe in NF-Verstärkern verwendet. Dazu zählen auch Verstärkerstufen für den industriellen Einsatz im Frequenzbereich von 5 Hz bis 500 kHz. Wegen der direkten Rückkopplung des Ausgangssignals auf den Eingang erreicht man eine sehr hohe Übertragungsgüte. Die hier gezeigte Grundschaltung arbeitet mit einer sehr hohen Verstärkung von (150…200). Etwas kritisch ist die Wahl des Stromverstärkungsfaktors B. Dieser muss im Datenblatt des Transistors in Abhängigkeit von Ic ausgesucht werden.